viernes, 28 de agosto de 2015

¿Que es memoria DDR?

A la hora de adquirir un módulo de memoria RAM, es muy probable que veamos el acrónimo DDR acompañando el modelo que necesitamos. Se trata de una tecnología que se traduce como “doble tasa de transferencia” y que ofrece la posibilidad de enviar y recibir datos a través de dos canales de forma simultánea en cada ciclo de reloj.
Al principio, los equipos que utilizaron este tipo de memoria fueron aquéllos que contaban con un procesador AMD Athlon, contrario a los ordenadores con Pentium 4, que hacían uso exclusivo de memorias menos económicas llamadas RAMBUS. Una vez que la tecnología DDR se mostró exitosa en el mercado, sobre todo considerando que superaba en rendimiento a su competencia, Intel no pudo evitar subirse al tren de la doble tasa de transferencia. Sus primeros modelos de procesador compatibles con DDR eran los Pentium 4 con un FSB (Front Side Bus) de 64 bits y cuyas frecuencias de reloj internas se encontraban entre los 200 y los 400 MHz.
La nomenclatura usada para su identificación tiene el siguiente formato: PC-XXXX. En él se especifica el ancho de banda, el cual se obtiene multiplicando la frecuencia por 2, dado el principio de doble tasa, y luego por 8 bytes, que es la cantidad de información que un módulo es capaz de transferir en cada ciclo de reloj. Para entender mejor el cálculo, tomemos como ejemplo PC3200: partiendo de los 200MHz de su reloj, los duplicamos y los multiplicamos por 8 bytes, lo cual nos da 3200MB por segundo. Es importante recordar que MHz hace referencia a un millón, por lo cual 200 es en realidad 200.000.000, y de ahí tomamos el “Mega” para el resultado.
Su evolución fueron los módulos de memoria DDR2, que permiten transferir 4 bits por ciclo de reloj, dos a la ida y dos a la vuelta. Luego apareció DDR3, que mejoró sustancialmente la velocidad y aumentó considerablemente el límite de memoria posible en cada módulo, alcanzando los 16GB. Se espera que la próxima revisión, denominada DDR4, se lance al mercado a finales del año 2012.



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